(资料图片)

欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：

（1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)

版当权归是芝士界实回答网站或军原作者所有

（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。

工量些文联带例报步石织感效。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

关键词：